Notebookcheck Logo

Samsung eUFS 3.0 512 GB

Samsung eUFS 3.0 512 GB
Samsung eUFS 3.0 512 GB
Firma Samsung ruszyła z produkcją pamięci, którą można spotkać w składanym smartfonie Galaxy Fold.

Potwierdzono, że ruszyła produkcja seryjna pamięci eUFS (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB (opera się o V-NAND w blokach po 512 Gb). Warto dodać, że do tej pory można było spotkać nośnik pamięci eUFS, ale w wydaniu 2.1 (o połowę wolniejszy; eUFS 2.0 z 2015 roku jest o 1,4x szybsze od eMMC 5.1). Później, bliżej końca 2019 roku, pojawi się wariant pamięci eUFS o pojemności 1 TB.

Doprecyzuję, że eUFS 3.0 osiąga 2100 MB/s przy odczycie danych (w przypadku kart pamięci podaje się precyzyjnie tylko odczyt a zapis podaje orientacyjnie). Wydajność mierzona IOPS (operacjami wejścia wyjścia na sekundę) ma sięgać 63000 IOPS (odczyt) i 68000 (zapis). Klasyczna karta microSD osiąga ok. 100 IOPS.

Koniecznie trzeba dodać, że tytułowa pamięć pojawi się także w laptopach.

Źródło: TechPowerUp

Powiązane artykuły

  1. Samsung: połączona pamięć LPDDR4X i eUFS Nowinka @ 24/10/2019
  2. Samsung: V-NAND 6. generacji Nowinka @ 07/08/2019
  3. microSD Express Nowinka @ 27/02/2019
  4. Samsung Galaxy Fold Nowinka @ 21/02/2019
  5. Samsung: eUFS 1 TB dla smartfonów Nowinka @ 30/01/2019
  6. Toshiba: pamięć UFS 3.0 Nowinka @ 23/01/2019
  7. SK hynix: 3D NAND 96 warstw, QLC NAND i UFS 3.0 Nowinka @ 09/11/2018
  8. Samsung: LPDDR5 i UFS 3.0 w 2018 roku? Nowinka @ 15/06/2018
  9. JMicron i SMI: obsługa kart UFS Nowinka @ 13/06/2018
  10. Secure Digital 7.0, czyli SD PCIe Nowinka @ 12/06/2018

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
Sylwester Cyba, 2019-02-27 (Update: 2019-02-27)