Chińska firma CXMT dokonała ważnego przełomu w produkcji układów pamięci HBM3E

Według najnowszego raportu serwisu The Information czołowy chiński producent półprzewodników, firma CXMT, oficjalnie rozpoczął produkcję próbną pamięci HBM3E. Chociaż osiągnięcie to sprawia, że chińskie zakłady produkcyjne pozostają technicznie o około dwa pokolenia w tyle za swoimi południowokoreańskimi konkurentami, którzy już przygotowują się do przejścia na technologię HBM4E, stanowi ono jednak ogromny krok naprzód dla chińskiego krajowego łańcucha dostaw chipów oraz bardzo ważny kamień milowy w działaniach mających na celu zmniejszenie zależności od zachodnich technologii.

Chociaż firma CXMT na razie nie ujawnia dokładnych specyfikacji układów HBM3E, standardowe wytyczne JEDEC dają jasny obraz tego, czego można się spodziewać pod maską. Mamy do czynienia z interfejsem 1024-bitowym, zapewniającym prędkość od 9,2 do 12,4 Gb/s na pin, przy czym większość standardowych konfiguracji jest ukierunkowana na optymalną wartość 9,6 Gb/s. Przekłada się to na oszałamiającą łączną przepustowość wynoszącą 1,2 TB/s, przy pojemnościach wynoszących albo 24 GB (przy stosach 8-warstwowych), albo 36 GB (przy stosach 12-warstwowych). Obecnie „produkcja ryzykowna” oznacza, że wydajność produkcji chipów jest znikoma, jednak firma CXMT słynie z tego, że w stosunkowo krótkim czasie przechodzi od wczesnych testów bezpośrednio do masowej produkcji. Nie byłoby zaskoczeniem, gdyby produkcja na dużą skalę ruszyła już w ciągu kilku tygodni.

To agresywne tempo dotyczy również powierzchni zakładów produkcyjnych. Firma CXMT w pośpiechu zbudowała czyste pomieszczenia produkcyjne w ciągu zaledwie 12 miesięcy, czyli w czasie o połowę krótszym niż zazwyczaj zajmuje to pozostałym podmiotom z branży półprzewodników. Obecnie firma prowadzi dwie duże fabryki 12-calowe w Hefei i Pekinie, produkujące łącznie około 200 000 płytek miesięcznie. Do końca bieżącego roku produkcja ta ma osiągnąć poziom 350 000 płytek, a zgodnie z planem strategicznym, po uruchomieniu nowych zakładów w Szanghaju i Hefei, obecna wydajność ma ostatecznie wzrosnąć trzykrotnie, osiągając oszałamiającą liczbę 600 000 płytek miesięcznie.

Posiadanie krajowego źródła pamięci HBM z pewnością brzmi świetnie w kontekście chińskich planów dominacji w wyścigu o sztuczną inteligencję, ale co z moce produkcyjnymi pamięci DRAM przeznaczonych dla konsumentów? Firma CXMT rozpoczęła niedawno dostawy układów DDR5 do modułów pamięci RAM przeznaczonych dla konsumentów, co budziło nadzieję, że ceny tego typu pamięci w końcu ulegną tak bardzo potrzebnemu spadkowi. Jednak ponieważ pamięć HBM wymaga ułożenia wielu matryc DRAM w jednym pakiecie, jej produkcja jest niezwykle zasobochłonna. Jeśli popyt na pamięć HBM napędzany przez sztuczną inteligencję będzie nadal gwałtownie wzrastał, rozbudowane nowe moce produkcyjne CXMT w zakresie płytek półprzewodnikowych mogą zostać po prostu pochłonięte przez boom na pamięć o wysokiej przepustowości. W związku z tym ceny standardowej pamięci DRAM mogą ustabilizować się lub nawet nadal rosnąć, przynajmniej do końca bieżącego roku.