Notebookcheck Logo

Samsung: DDR4 1z nm w 2019

Firma Samsung ogłosiła przełom, jeśli idzie o wytwarzanie pamięci operacyjnej DDR4.

W tytułowym obwieszczeniu chodzi o opracowanie pamięci DDR4 (w modułach po 8 Gb) 3. generacji, określanej mianem 1z nm (litografia klasy 10 nm). Druga generacja DDR4 (1y nm, litografia klasy 10 nm; też bloki pamięci po 8 Gb) była ogłoszona zaledwie 16 miesięcy temu i - co więcej - chodziło o produkcję seryjną.

Różnica między pamięcią DDR4 DRAM 1z nm a 1y nm jest odczuwalna po stronie producenta - efektywność produkcji tej pierwszej jest wyższa o 20% (niższy koszt jednostkowy daje więcej zarobić, albo pozwala obniżyć cenę dla klienta końcowego).

Wspomniana wyżej pamięć DDR4 1z nm 8 Gb (zwykle kilka takich kości można znaleźć na gotowej do kupienia pamięci RAM) będzie produkowana seryjnie w drugiej połowie 2019 roku. Wariant przeznaczony na potrzeby serwerów ma być ogłoszony w 2020 roku.

Źródło: DigiTimes

Powiązane artykuły

  1. SK hynix: pamięć 1z nm 16 Gb DDR4 Nowinka @ 21/10/2019
  2. Micron: DRAM 1Ynm w 2. półroczu 2019 Nowinka @ 21/02/2019
  3. SK Hynix: 1Ynm 8 Gb DDR4 DRAM Nowinka @ 12/11/2018
  4. Samsung: LPDDR5 8 Gb Nowinka @ 17/07/2018
  5. Micron: 1Y nm DRAM i 3D NAND 3. generacji Nowinka @ 21/06/2018
  6. Samsung: DDR4 w litografii 10 nm o pojemności 32 GB Nowinka @ 30/05/2018

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
Sylwester Cyba, 2019-03-21 (Update: 2019-03-21)