Notebookcheck Logo

SK hynix: pamięć 1z nm 16 Gb DDR4

Koreańska firma SK hynix ma ambitne plany na rok 2020.

W firmie SK hynix opracowano pamięć DDR4 DRAM o pojemności 16 Gb (3200 Mb/s, niższe zapotrzebowanie na moc) wytwarzaną w procesie 1z nm. Do produkcji seryjnej zostanie skierowana w 2020 roku.

Technika jak wyżej (proces 1z nm) nie wymaga stosowania litografii EUV (extreme ultraviolet) i jest o ok. 27% efektywniejsza od poprzedniej metody (proces znany jako 1y nm).

W przyszłości proces 1z nm może zostać wykorzystany na potrzeby wytwarzania pamięci LPDDR5 i HBM3.

Źródło: DigiTimes

Powiązane artykuły

  1. SK Hynix ogłasza wprowadzenie na rynek pamięci HBM3E o przepustowości ~1 TB/s na potrzeby sztucznej inteligencji nowej generacji Nowinka @ 23/08/2023
  2. Micron: DDR4 i LPDDR4X 16 Gb z użyciem 1Z nm Nowinka @ 19/08/2019
  3. Samsung: DDR4 1z nm w 2019 Nowinka @ 21/03/2019

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2019 10 > SK hynix: pamięć 1z nm 16 Gb DDR4
Sylwester Cyba, 2019-10-21 (Update: 2019-10-21)