Notebookcheck Logo

SK Hynix: 1Ynm 8 Gb DDR4 DRAM

Koreańska firma SK hynix ogłosiła kolejny postęp w dziedzinie wytwarzania pamięci DRAM.

Koreańczycy z SK hynix przygotowali technikę umożliwiającą wytwarzanie pamięci DDR4 DRAM 8 Gb w procesie 1Ynm. Na tle wcześniejszej generacji, produkowanej w procesie 1Xnm, efektywność wzrosła o 20% (więcej pamięci z jednego krzemowego wafla) a pobór mocy zbito o 15% (czuwa nad tym technologia o nazwie Sense Amp. Control). Nowa generacja DDR4 ma przepustowość 3200 MB/s.

Proces technologiczny 1Ynm zostanie w następnej kolejności wykorzystany na potrzeby rynku pamięci dla serwerów. Jeszcze później będzie dostosowany na potrzeby niskonapięciowej pamięci stosowanej w smartfonach i tabletach.

Produkcja seryjna tytułowej pamięci operacyjnej ruszy w pierwszym kwartale 2019 roku.

Źródło: TechPowerUp

Powiązane artykuły

  1. Samsung: DDR4 1z nm w 2019 Nowinka @ 21/03/2019
  2. SK hynix: cztery nowe fabryki pamięci Nowinka @ 21/02/2019
  3. SK hynix i SST: współpraca przy SuperFlash Nowinka @ 20/12/2018
  4. SK hynix: 1 Ynm 16 Gb DDR5 DRAM Nowinka @ 15/11/2018
  5. SK hynix: 3D NAND 96 warstw, QLC NAND i UFS 3.0 Nowinka @ 09/11/2018
  6. SK hynix: 4D NAND coraz bliżej Nowinka @ 05/11/2018
  7. SK hynix: większe wydatki na nową fabrykę Nowinka @ 06/10/2018
  8. SK hynix: R&D w Mińsku Nowinka @ 24/09/2018
  9. SK hynix: 4D NAND w 2019 Nowinka @ 09/08/2018
  10. SK hynix: kolejna fabryka w Korei Płd. Nowinka @ 27/07/2018
  11. SK hynix: fabryka w Chinach Nowinka @ 11/07/2018
  12. SK hynix: nowy zakład produkcyjny Nowinka @ 23/12/2016

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
Sylwester Cyba, 2018-11-12 (Update: 2018-11-12)