Notebookcheck Logo

SK hynix: pamięć HBM2E DRAM w 2020

SK hynix HBM2E
SK hynix HBM2E
Koreańska firma SK hynix ogłosiła kolejny sukces na polu pamięci komputerowych.

Pierwsze, co należy podkreślić, to to, że mimo podobnego nazewnictwa pamięć HBM2 i HBM2E to nie jedno i to samo. Ta tytułowa (HBM2E DRAM) ma o ok. 50% większą przepustowość od tego, co oferuje HBM2, a inne parametry są lepsze nawet o 100% (upakowanie bloków pamięci na jednej płytce PCB).

Pamięć SK hynix HBM2E oferuje przepustowość na poziomie 460 GB/s (3,6 Gb/s na jeden styk). Za sprawą techniki określanej mianem TSV (through-silicon via) osiągnięto możliwość upakowania aż ośmiu czipów 16-gigabitowych, co daje w sumie 16 GB (jedna pamięć typu DRAM).

Tytułowa pamięć znajdzie zastosowanie m.in. w wydajnych kartach grafiki.

Produkcja seryjna pamięci SK hynix HBM2E ma ruszyć w 2020 roku.

Źródło: DigiTimes

Powiązane artykuły

  1. GlobalFoundries i SiFive: pamięć HBM2E Nowinka @ 07/11/2019
  2. Samsung HBM2 24 GB Nowinka @ 08/10/2019
  3. Samsung Aquabolt HBM2 ma wzięcie Nowinka @ 27/06/2018
  4. Współpraca firm AMD i Xilinx przy HBM Nowinka @ 17/06/2018
  5. Samsung: rusza produkcja HBM2 2,4 Gb/s Nowinka @ 11/01/2018
  6. Zapowiedź HBM3 Nowinka @ 23/08/2016
  7. SK hynix HBM2 Nowinka @ 15/07/2016

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2019 08 > SK hynix: pamięć HBM2E DRAM w 2020
Sylwester Cyba, 2019-08-12 (Update: 2019-08-12)