Notebookcheck Logo

SK Hynix montuje pierwsze narzędzie litograficzne High-NA EUV do masowej produkcji w fabryce M16

Na zdjęciu: Pamięć flash QLC NAND firmy SK Hynix (źródło zdjęcia: SK Hynix)
Na zdjęciu: Pamięć flash QLC NAND firmy SK Hynix (źródło zdjęcia: SK Hynix)
SK Hynix zainstalował system High-NA EUV firmy ASML w swojej fabryce M16 w Korei Południowej, pierwsze takie narzędzie zmontowane do masowej produkcji. Przełom ten umożliwia stosowanie mniejszych elementów, większej gęstości DRAM i wzmacnia przewagę firmy nad Samsungiem i Micronem w zakresie pamięci nowej generacji.
Storage GPU Business Desktop AI

SK Hynix ogłosił firma SK Hynix ogłosiła, że zmontowała pierwszy w branży system litografii High-NA EUV do masowej produkcji w fabryce M16 w Icheon w Korei Południowej. Kierownictwo działu badawczo-rozwojowego i produkcyjnego SK Hynix, a także ASML, lider klienta SK Hynix, świętowali kamień milowy podczas imprezy na miejscu. Celem tego systemu jest przyspieszenie rozwoju i dostaw pamięci DRAM nowej generacji, przy jednoczesnym wzmocnieniu krajowego przywództwa w zakresie pamięci AI i zwiększeniu stabilności łańcucha dostaw poprzez ścisłą współpracę partnerów. Ten kamień milowy oznacza skok SK Hynix przed innymi rywalami, którzy nadal polegają na Low-NA EUV.

System ASML TWINSCAN EXE:5200B zapewnia o około 40 procent wyższą NA (aperturę numeryczną) niż jego odpowiednik Low-NA, co umożliwia tworzenie elementów, które są 1,7 razy mniejsze przy około 2,9 razy większej gęstości tranzystorów w pojedynczej ekspozycji. Maszyna może osiągnąć znaczną rozdzielczość 8 nm, co stanowi znaczną poprawę w stosunku do obecnej rozdzielczości 13 nm osiąganej przez systemy Low-NA. ASML określa ten kamień milowy jako "otwarcie nowego rozdziału".

Początkowo SK Hynix planuje szybko prototypować nowe struktury DRAM, w tym okopy kondensatorów, linie bitów i linie słów, aby przyspieszyć rozwój węzłów. Firma planuje również uprościć istniejące przepływy procesów EUV, aby poprawić konkurencyjność kosztową w miarę dojrzewania rozwoju.

Oczekuje się, że przyszłe pamięci DRAM przejdą na technologię High-NA EUV (około 2030 roku); dlatego narzędzie to wcześnie wyznacza tę ścieżkę. SK Hynix rozszerzył swój ślad EUV na DRAM od 2021 roku, a ten kamień milowy stanowi kolejny krok w produkcji DRAM nowej generacji.

Bycie jedną z pierwszych firm, które montują systemy High-NA EUV w zakładzie masowej produkcji, stawia SK Hynix przed Micronem i Samsungiem, dając mu przewagę konkurencyjną na rynku. ASML wcześniej zbudował przedprodukcyjne systemy High-NA (seria NXE:5000) w fabryce Intela D1X, ale instalacja SK Hynix oznacza pierwszy montaż nowego systemu EXE:5200B w fabryce klienta przystosowanej do produkcji seryjnej.

Źródło(a)

SK Hynix (w języku angielskim)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2025 09 > SK Hynix montuje pierwsze narzędzie litograficzne High-NA EUV do masowej produkcji w fabryce M16
Nathan Ali, 2025-09- 4 (Update: 2025-09- 4)