SK hynix podobno łączy DRAM i NAND w ujednolicony pakiet pamięci masowej o wysokiej przepustowości, aby zwiększyć wydajność sztucznej inteligencji na urządzeniu

Firma SK hynix podobno osiągnęła kamień milowy dzięki innowacji, która może zmienić sposób, w jaki urządzenia mobilne obsługują sztuczną inteligencję. Nowa hybrydowa architektura firmy, High-Bandwidth Storage (HBS), łączy DRAM i NAND, umożliwiając wyższe prędkości danych, mniejsze opóźnienia i lepszą efektywność energetyczną.

Według ETNews, SK hynix spodziewa się, że jego nowa technologia zwiększy wydajność sztucznej inteligencji smartfonów.

Pamięć nowej generacji dla urządzeń mobilnych opartych na sztucznej inteligencji

Kluczową częścią najnowszej innowacji SK hynix jest technologia Vertical Wire Fan-Out (VFO). VFO to metoda, która pozwala na ułożenie do 16 warstw DRAM i NAND w pionie, podczas gdy są one połączone w linii prostej. Dzięki temu procesowi SK hynix może zmniejszyć straty sygnału i odległość transmisji, ponieważ nie ma potrzeby stosowania zakrzywionego okablowania powszechnego w tradycyjnych pakietach.

Rezultatem jest pakiet HBS o krótszym czasie przetwarzania danych i zwiększonej wydajności. Zapewnia to poprawę przepustowości w urządzeniach mobilnych, podobnie jak pamięć HBM (High-Bandwidth Memory) zwiększyła wydajność w procesorach graficznych i serwerach AI.

Mniejsze, szybsze i chłodniejsze

Według SK hynix, nowy proces VFO zmniejsza wymagania dotyczące okablowania o 4,6 razy. Zmniejsza zużycie energii o 5 procent i poprawia rozpraszanie ciepła o 1,4 procent. Południowokoreańska firma zmniejszyła również wysokość opakowania o 27 procent, dzięki czemu urządzenia mobilne mogą być jeszcze smuklejsze i działać w niższych temperaturach.

SK hynix oszczędza również na kosztach produkcji, ponieważ HBS nie wymaga produkcji Through-Silicon Via (TSV), która pionowo łączy ułożone chipy poprzez wiercenie i wypełnianie mikroskopijnych otworów przez wafle krzemowe, w przeciwieństwie do HBM. Ponadto pomaga to zwiększyć wydajność, co ma kluczowe znaczenie dla skalowania produkcji.

Zwiększenie wydajności AI w układach mobilnych

W połączeniu z procesorem aplikacji (AP), moduł HBS firmy SK hynix umożliwi smartfonom i tabletom lepszą obsługę obciążeń związanych ze sztuczną inteligencją. Firma wykorzystała już opakowania DRAM oparte na VFO w Apple's Vision Pro.