Notebookcheck Logo

ChangXin Memory: 2,5 mld USD na R&D

Chińska firma ChangXin Memory podsumowała dotychczasowe dokonania.

W Szanghaju doszło do ogłoszenia sukcesów firmy ChangXin Memory Technologies (CXMT). Prezes pochwalił się m.in. tym, że na badania i rozwój (R&D) wydano już ponad 2,5 mld USD. Efektem była pierwsza w pełni chińska pamięć LPDDR4 DRAM 8 Gb (w sprzedaży pojawi się w III kw. 2019; z taśmy produkcyjnej schodzić będzie 20 tys. sztuk miesięcznie).

Spółka CXMT współpracuje choćby z dostawcami maszyn niezbędnych do produkcji półprzewodników. Mowa o firmach takich jak: ASML, KLA-Tencor, Lam Research, Tokyo Electron i Applied Materials.

Wytwarzanie w litografii 17 nm jest planowane na rok 2021. Wcześniej firma CXMT była znana jako Innotron Technology, Hefei ChangXin i Hefei RuiLi.

Źródło: DigiTimes

Powiązane artykuły

  1. CXMT: produkcja DRAM pod koniec 2019 Nowinka @ 10/09/2019
  2. Yangtze Memory: 3D NAND 2. generacji Nowinka @ 21/05/2019
  3. Chińska gospodarka za mało innowacyjna? Nowinka @ 16/05/2019
  4. Współpraca chińskich producentów pamięci Nowinka @ 16/11/2018

» skomentuj na forum «

Please share our article, every link counts!
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2019 05 > ChangXin Memory: 2,5 mld USD na R&D
Sylwester Cyba, 2019-05-21 (Update: 2019-05-21)