Popyt związany ze sztuczną inteligencją może spowodować, że w 2027 r. producenci komputerów osobistych będą walczyć o kurczące się zasoby pamięci DRAM

Boom na sztuczną inteligencję może zasadniczo zmienić sposób kupowania i sprzedawania pamięci. Najnowsze komentarze producentów pamięci z tego tygodnia sugerują, że w 2027 r. sytuacja podażowa w segmencie pamięci DRAM prawdopodobnie ulegnie dalszemu zaostrzeniu. Zgodnie z raportem serwisu Digitimes opublikowanym na początku tego tygodnia firmy Samsung, Micron i SK hynix zakończyły podobno negocjacje dotyczące niemal całości swoich mocy produkcyjnych pamięci DRAM i pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) na rok 2027. Powołując się na źródła branżowe, publikacja podaje, że dostawcy chmury hiperskalowej, firmy zajmujące się sztuczną inteligencją oraz mniejsi nabywcy zostali już poinformowani o przydzielonych im limitach produkcyjnych, a w wielu przypadkach wymagane są rzekomo zaliczki w celu zabezpieczenia przyszłych dostaw.

Raport ten został następnie potwierdzony przez wypowiedzi dostawców pamięci podczas ostatnich telekonferencji dotyczących wyników finansowych. Prezes firmy Adata, Simon Chen, stwierdził wcześniej, że zastosowania pamięci HBM oraz serwerów AI mogą stanowić prawie 70% globalnej produkcji pamięci DRAM w 2027 r. Pogląd ten znalazł odzwierciedlenie w ostatnich komentarzach branżowych, ostrzegających przed ograniczeniem podaży pamięci w przyszłym roku. Pozostawia to znacznie mniej mocy produkcyjnych na konwencjonalne pamięci do komputerów osobistych i smartfonów. Firma Winbond zauważyła również, że niektórzy klienci już teraz dążą do zawarcia długoterminowych umów dostaw sięgających lat 2029 i 2030, co odzwierciedla oczekiwania, że trudna sytuacja rynkowa może utrzymywać się przez lata, a nie tylko przez poszczególne kwartały.

Ta zmiana może mieć namacalne konsekwencje dla producentów komputerów osobistych. Jeśli coraz większa część produkcji pamięci DRAM będzie nadal przekierowywana na pamięć HBM, dostawcy notebooków i komputerów stacjonarnych mogą znaleźć się w sytuacji, w której będą konkurować o coraz mniejsze zasoby pamięci konwencjonalnej, pomimo ciągłych inwestycji w rozbudowę mocy produkcyjnych. Serwis Digitimes twierdzi, że wielu klientom przydziela się jedynie około 60–70% pierwotnie zamówionych ilości, co w praktyce zmusza producentów OEM do priorytetowego traktowania produktów o wyższej marży, ograniczenia liczby dostępnych konfiguracji lub ponownego przemyślenia domyślnych pojemności pamięci w przyszłych systemach.

Zacieśniająca się sytuacja rynkowa może nie ograniczać się wyłącznie do pamięci DRAM. Digitimes podaje, że firmy Samsung, Micron i SanDisk najwyraźniej rozdzieliły już całą swoją produkcję pamięci NAND Flash na rok 2027, podczas gdy Kioxia i SK Hynix mogą zakończyć ten proces przed końcem sierpnia. Jeśli informacje te się potwierdzą, będzie to sprzeczne z najnowszymi prognozami sugerującymi, że podaż pamięci NAND może zacząć rosnąć w drugiej połowie 2027 r. wraz ze stopniowym uruchamianiem dodatkowych mocy produkcyjnych. Żadna z firm nie potwierdziła publicznie podawanych przydziałów produkcyjnych na rok 2027. Mimo to połączenie doniesień dotyczących łańcucha dostaw oraz coraz bardziej ostrożnych komentarzy ze strony dostawców pamięci sugeruje, że obecny niedobór może stanowić coś więcej niż tylko kolejne cykliczne zacieśnienie podaży.

Co ciekawe, producenci pamięci już teraz przyznają, że sama zwiększona produkcja pamięci DRAM może nie wystarczyć do zaspokojenia gwałtownie rosnącego zapotrzebowania sztucznej inteligencji na pamięć. Firma SK Hynix zaprezentowała niedawno technologię High Bandwidth Flash (HBF) – proponowaną nową warstwę pamięci, plasującą się pomiędzy pamięcią HBM a konwencjonalną pamięcią NAND Flash. Zamiast próbować zastąpić pamięć DRAM, technologia HBF ma na celu odciążenie ogromnych zbiorów danych sztucznej inteligencji, które nie wymagają już przepustowości klasy HBM, zapewniając jednocześnie znacznie wyższą wydajność niż tradycyjne dyski SSD. Technologia ta jest jeszcze odległa o wiele lat od komercjalizacji, jednak jej wprowadzenie może sygnalizować, że branża zaczyna przeprojektowywać samą hierarchię pamięci, zamiast polegać wyłącznie na zwiększaniu produkcji pamięci DRAM w celu nadążania za obciążeniami związanymi ze sztuczną inteligencją.