Firma SanDisk produkuje pierwsze układy pamięci 3D Matrix — dążąc do obniżenia kosztu jednego bitu do połowy kosztu pamięci DRAM

Firma SanDisk przedstawiła niewielką, ale znaczącą aktualizację dotyczącą swojej eksperymentalnej pamięci 3D Matrix Memory, informując, że wyprodukowała pierwsze układy tej nowej technologii pamięci na standardowych płytkach krzemowych o średnicy 300 mm i zapakowała je w celu przeprowadzenia dalszych testów. Według firmy prototypy są już w stanie przechowywać kilka gigabitów danych, a ich wydajność zbliża się do parametrów przewidzianych dla produktu końcowego.

Pamięć 3D Matrix Memory jest rozwijana od 2017 roku jako potencjalna alternatywa dla konwencjonalnej pamięci DRAM, jednak charakteryzuje się zasadniczo odmienną trójwymiarową strukturą. Firma SanDisk twierdzi, że technologia ta może ostatecznie zapewnić podobną wydajność, oferując jednocześnie nawet czterokrotnie większą pojemność niż pamięć DRAM. Firma dąży również do obniżenia kosztu jednego bitu o połowę w porównaniu z tradycyjną pamięcią DRAM.

Najnowsze prototypy opierają się na prototypie testowym opracowanym w zeszłym roku we współpracy z partnerem badawczym firmy SanDisk – instytutem Imec. Od tego czasu firma SanDisk rozpoczęła układanie wielu warstw pamięci w stosy oraz produkcję prototypów na płytkach o średnicy 300 mm. Gotowe układy są obecnie wykorzystywane do dalszych testów. Według firmy eksperymenty wykazały już działanie macierzy pamięci o pojemności rzędu wielu gigabitów. SanDisk twierdzi również, że poziom wydajności jest już bardzo zbliżony do specyfikacji, jakie firma wyznaczyła dla potencjalnego produktu końcowego.

Jednak firma SanDisk nie jest jeszcze gotowa do rozmów na temat wprowadzenia produktu na rynek. Dyrektor ds. technicznych firmy SanDisk, Alper Ilkbahar, zaznaczył, że technologia 3D Matrix Memory pozostaje projektem długoterminowym i może minąć sporo czasu, zanim trafi ona na rynek.

Projekt posuwa się naprzód, ale jest to przedsięwzięcie o dłuższej perspektywie czasowej. Będziemy Państwa na bieżąco informować o naszych postępach – Alper Ilkbahar.

Najnowszy plan działania firmy SanDisk zawiera niewiele szczegółów dotyczących dalszych kroków. Wcześniejszy plan działania przedstawiał plany dotyczące próbek o pojemności od 32 do 64 Gbit, choć nie podano harmonogramu ich wprowadzenia.

Najnowszy plan działania zawiera niewiele szczegółów dotyczących dalszych kroków. Wcześniejsza mapa drogowa zawierała plany dotyczące próbek o pojemności od 32 do 64 Gbitów, jednak nie podano harmonogramu ich wprowadzenia.

Na razie pamięć 3D Matrix Memory pozostaje raczej projektem badawczym niż realną alternatywą dla pamięci DRAM w najbliższej przyszłości. Niemniej jednak możliwość wytwarzania wielowarstwowych prototypów na standardowych płytkach o średnicy 300 mm, demonstrowania macierzy pamięci o pojemności rzędu wielu gigabitów oraz osiągania wydajności zbliżonej do docelowych specyfikacji firmy stanowi znaczący krok naprzód w długotrwałych wysiłkach firmy SanDisk na rzecz opracowania nowego typu pamięci o wysokiej gęstości.

Firma SanDisk pracuje również nad inną zaawansowaną technologią pamięci – High Bandwidth Flash (HBF). W przeciwieństwie do pamięci 3D Matrix Memory, technologia HBF nie wprowadza całkowicie nowej architektury pamięci. Zamiast tego polega ona zasadniczo na ułożeniu w stos konwencjonalnych układów NAND w celu zwiększenia przepustowości. Projekt ten jest znacznie bliższy komercjalizacji. Firma SanDisk informuje, że pierwszy projekt HBF zakończył etap tape-out, a próbki mają być dostępne do walidacji w przyszłym roku.