Firma Samsung zaprezentowała swoje pierwsze rozwiązanie pamięci masowej w standardzie UFS 5.0, które może zadebiutować w modelu Galaxy S27

Firma Samsung ogłosiła dzisiaj https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-industrys-fastest-ufs-5-0-solution-for-next-gen-on-device-ai-applications to, co według firmy jest pierwszym na świecie układem pamięci masowej UFS 5.0. Obiecuje on prędkość odczytu sekwencyjnego do 10,8 GB/s oraz prędkość zapisu sekwencyjnego do 9,5 GB/s, co stanowi wzrost w stosunku do 4,3 GB/s i 4,1 GB/s w przypadku obecnych pamięci UFS 4.1, które są obecnie najszybszymi pamięciami stosowanymi w produkowanych smartfonach.

Samsung twierdzi, że układ UFS 5.0 jest o 40 procent bardziej energooszczędny niż UFS 4.1 dzięki technologii clock gating oraz technologii wielonapięciowej. Sam układ ma wymiary 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm, co sprawia, że jest on również mniejszy od swojego poprzednika.

Wyższa przepustowość zazwyczaj przynosi korzyści w dwóch obszarach działania współczesnych smartfonów: skróceniu czasu uruchamiania aplikacji oraz działaniu sztucznej inteligencji wbudowanej w urządzenie, która w coraz większym stopniu opiera się na szybkim pobieraniu danych, a nie wyłącznie na surowej mocy procesora. Firma Samsung ogłosiła, że masowa produkcja układów UFS 5.0 rozpocznie się w IV kwartale 2026 r., a w momencie premiery dostępne będą modele o pojemności do 1 TB.

Samsung ujawnił również, że pracuje nad układem Exynos 2700, który, jak się spodziewamy, będzie zasilał (przynajmniej) niektóre modele Galaxy urządzeń z serii S27 urządzeń. Informator Ice Universe napisał na Twitterze z konta X , że Exynos 2700 będzie natywnie obsługiwał standard UFS 5.0, dzięki czemu model Galaxy S27 stanie się jednym z pierwszych telefonów wyposażonych w ten nowy standard pamięci. Firma Samsung nie potwierdziła jeszcze wsparcia dla standardu UFS 5.0 w modelu Galaxy S27. Premiera modelu S27 przewidywana jest dopiero na początek 2027 r., czyli w tym samym czasie, w którym chipy mają wejść do produkcji w czwartym kwartale 2026 r.