Notebookcheck Logo

Samsung prezentuje standard GDDR6W o dwukrotnie większej pojemności niż GDDR6X i przepustowości niemal dorównującej HBM2E

Kość GDDR6W z 512 pinami I/O (Źródło obrazu: Samsung)
Kość GDDR6W z 512 pinami I/O (Źródło obrazu: Samsung)
Dzięki nowemu procesowi produkcyjnemu FOWLP, matryce GDDR6W mają takie same rozmiary jak GDDR6X, ale posiadają 32 Gb pojemności zamiast 16 Gb, a liczba pinów I/O również została podwojona. Przepustowość na poziomie systemu może osiągnąć 1,4 TB/s przy 512 pinach I/O, podczas gdy HBM2E oferuje 1,6 TB/s przez 4096 pinów, co czyni nowy standard pamięci Samsunga znacznie wydajniejszym.
Gaming GPU

Samsung ogłasza specyfikację GDDR6W niecałe 2 miesiące po tym, jak wprowadził do sprzedaży m.in GDDR7 specs. Wygląda na to, że produkty integrujące chipy GDDR7 VRAM mogą jeszcze trochę potrwać, zanim trafią na rynek, ponieważ Samsung twierdzi, że standaryzacja JEDEC dla produktów GDDR6W VRAM została zakończona już w drugim kwartale tego roku, a południowokoreański gigant planuje wprowadzić ten standard do notebooków i sektora wysokowydajnych komputerów tak szybko, jak to możliwe. Oprócz tego, że oferują wyższą przepustowość plus podwojenie pojemności i pinów I/O w stosunku do np 24 Gbps GDDR6X standard GDDR6W został opracowany w oparciu o rewolucyjną konstrukcję FOWLP (fan-out wafer-level packaging), która pozwala na zachowanie niezmienionego śladu, dzięki czemu integratorzy mogą wykorzystać ten sam proces produkcyjny co w przypadku GDDR6X oraz zredukować czas i koszty wdrożenia.

Pojemność jest teraz podwojona z 16 Gb do 32 Gb na matrycę, podczas gdy liczba pinów I/O podwoiła się z 32 do 64. Przekłada się to nie tylko na 50% redukcję powierzchni w stosunku do GDDR6X, ale FOWLP zmniejsza również wysokość matrycy z 1,1 mm do 0,7 mm poprzez wyeliminowanie warstwy bazowej PCB i zastąpienie jej waflem krzemowym, w którym zintegrowane są same chipy VRAM.

Jeśli chodzi o surową przepustowość, Samsung twierdzi, że GDDR6W VRAM może niemal dorównać standardowi HBM w bardziej wydajny sposób. Podczas gdy HBM2E mają przepustowość na poziomie systemu 1,6 TB/s przy 4096 pinach I/O i transferze 3,2 Gbps na pin, nowy standard GDDR6W oferuje przepustowość 1,4 TB/s przy 512 pinach I/O i transferze 22 Gbps na pin. Zmniejszenie liczby ścieżek I/O o 8 razy zasadniczo eliminuje potrzebę stosowania warstwy interpozytorskiej i czyni ją bardziej opłacalną dla integratorów produktów. Dla odniesienia, GDDR6X oferuje przepustowość do 1,1 TB/s, więc GDDR6W byłby o ~30% szybszy. Z drugiej strony, GDDR7 ma oferować 1,7 TB/s przepustowości na 384-bitowej magistrali.

 

Kup SAMSUNG 980 PRO 2TB PCIe 4.0 NVMe SSD na Amazon

Projekt FOWLP (Źródło obrazu: Samsung)
Projekt FOWLP (Źródło obrazu: Samsung)
Smuklejsze opakowanie (Źródło obrazu: Samsung)
Smuklejsze opakowanie (Źródło obrazu: Samsung)

Źródło(-a)

Please share our article, every link counts!
> laptopy testy i recenzje notebooki > Nowinki > Archiwum v2 > Archiwum 2022 11 > Samsung prezentuje standard GDDR6W o dwukrotnie większej pojemności niż GDDR6X i przepustowości niemal dorównującej HBM2E
Bogdan Solca, 2022-11-30 (Update: 2022-11-30)