SK Hynix rozpoczyna masową produkcję 238-warstwowej pamięci 4D NAND, 20% szybsze dyski SSD PCIe 5.0 NVMe już wkrótce
PCIe 5.0 Dyski SSD NVMe są już dostępne w nieco ograniczonych zapasach, obiecując podwojenie prędkości w stosunku do modeli PCIe 4.0. W rzeczywistości nowy standard wymaga dodatkowego chłodzenia a istniejące układy pamięci NAND z trudem nadążają za przepustowością PCIe 5.0. Nawet najszybsze dostępne obecnie rozwiązanie, takie jak Crucial T700 osiąga jedynie 12,4 GB/s, co wciąż jest wartością znacznie odbiegającą od teoretycznych maksymalnych prędkości na poziomie 14 GB/s. Takie ograniczenia wynikają głównie z samych układów pamięci, a nie kontrolerów PCIe. Na szczęście 238-warstwowe chipy 4D NAND od SK Hynix, które niedawno weszły do masowej produkcji, powinny wkrótce usunąć wąskie gardło.
Smartfony klasy premium i konsumenckie dyski SSD NVMe wkrótce skorzystają z nowych 238-warstwowych chipów 4D NAND, ponieważ południowokoreańska firma właśnie ogłosiła, że nowy typ pamięci wszedł do masowej produkcji pod koniec maja. SK Hynix twierdzi, że 238-warstwowe modele są najmniejszymi jak dotąd chipami NAND i mają o 34% wyższą wydajność produkcji w porównaniu do 176-warstwowych chipów poprzedniej generacji. Ogólne koszty produkcji powinny pozostać podobne, podczas gdy konkurencyjne ceny i przewidywany popyt powinny zwiększyć zyski w drugiej połowie 2023 roku.
Każdy nowy chip z 238 warstwami może osiągnąć prędkość transferu danych 2,4 Gb/s, co przekłada się na ~20% wyższe prędkości odczytu i zapisu dla rozwiązań pamięci masowej. Dzięki temu zwiększeniu, dyski SSD PCIe 5.0 NVMe będą w stanie osiągnąć 14 GB/s bardziej konsekwentnie. SK Hynix testuje obecnie kompatybilność produktów z globalnymi producentami smartfonów, a firma rozpocznie wysyłkę nowych chipów na początku drugiej połowy 2023 roku.
Źródło(a)
Add as a preferred source on Google
