Nie należy interpretować planu budowy fabryki firmy SK hynix o wartości 54,3 biliona wonów jako sygnału spadku cen pamięci RAM

W dniu 7 sierpnia zarząd firmy SK hynix zatwierdził kwotę około 54,3 biliona wonów (~38,6 mld USD) na budowę dwóch nowych zakładów produkcyjnych: 35,2 biliona wonów (~25 mld USD) na fabrykę „Y2” w Yongin oraz 19,1 biliona wonów (~13,6 mld USD) na fabrykę „M17” w Cheongju. Zakład Y2 będzie produkował pamięci DRAM, a M17 – pamięci NAND; obie kwoty obejmują wyłącznie koszty budowy; koszt wyposażenia zakładu Y2 może wynieść nawet 120 bilionów wonów (ok. 85,2 mld USD), co może spowodować, że łączna kwota przekroczy 150 bilionów wonów (ok. 106,5 mld USD).

Każdy, kto ostatnio sprawdzał ceny zestawu pamięci DDR5 o pojemności 32 GB – w tym miesiącu wynoszące około 600 dolarów, w porównaniu ze 100 dolarami za ten sam zestaw jeszcze niedawno – naturalnie uznałby to za oznakę zbliżającego się końca. Jednak terminy wskazują na zupełnie inną sytuację. M17 uruchomi swój pierwszy pomieszczenie czyste w grudniu 2028 r., a Y2 – w czerwcu 2029 r., przy czym budowa Y2 rozpocznie się dopiero w lipcu 2027 r. Otwarcie pomieszczenia czystego oznacza rozpoczęcie instalacji i kwalifikacji sprzętu; nie jest to jednak początek dostaw. Znacznie bliższym kamieniem milowym jest obiekt Y1, którego ukończenie planowane jest na luty 2027 r., a montaż sprzętu nastąpi w drugim kwartale.

Jedno konkretne zdanie w komunikacie firmy SK hynix ma nawet większe znaczenie niż liczba podana w nagłówku. Gigant branży półprzewodników oświadcza, że będzie budował fabryki zgodnie z harmonogramem ogólnym, ale rozbudowa komór czystych oraz instalacja sprzętu będą odbywać się stopniowo, dostosowując się do trendów popytu, tak aby zmaksymalizować efektywność wykorzystania kapitału.

Innymi słowy, firma wcześnie wznosi budynki, a znacznie większe wydatki na oprzyrządowanie wstrzymuje do czasu potwierdzenia popytu. Obiekt Y1 zostanie podzielony na sześć pomieszczeń czystych i oczekuje się, że do pierwszej połowy 2030 r. osiągnie wydajność na poziomie 360 000 płytek DRAM miesięcznie.

Asortyment produktów również nie jest korzystny dla konsumentów. W zakładzie Y2 będą produkowane pamięci o dużej przepustowości oraz inne pamięci DRAM nowej generacji, a to właśnie przeznaczenie na pamięć HBM spowodowało, że standardowe pamięci DDR5 zostały wycofane z fabryk. Obecnie firma SK hynix przeznacza około 30% swoich mocy produkcyjnych płytek DRAM na pamięć HBM, a analitycy przewidują, że do 2027 r. udział ten zbliży się do 40%.

Najbardziej przejrzystą informacją w tym kontekście jest własna prezentacja firmy SK hynix. Firma nazywa to „transformacją strukturalną”, a nie tymczasowym supercyklem. Powołała się na prognozy Omdia przewidujące 19-procentowy roczny wzrost w segmencie pamięci DRAM i NAND do 2030 roku. Oznacza to, że dostawca traktuje obecne ceny jako punkt odniesienia i odpowiednio do tego planuje swoją działalność.