MRAM: rekord zapisu danych

Na Uniwersytecie Tohoku w Japonii (miasto Sendai, prefektura Miyagi) opracowano pamięć MRAM 128 Mb (1,2 V), która na zapis danych potrzebuje 14 nanosekund (dobry wynik jak na pojemność powyżej 100 Mb).

O ile pamięć MRAM (mały pobór mocy; dane są zachowywane przy braku zasilania) wyjdzie z fazy testów, ma szansę zastąpić SRAM i eDRAM. W pierwszej kolejności może być to MRAM z zakładów firmy Intel wytwarzana w litografii 14 nm (zapewne bliżej pojemności między 8 Mb a 40 Mb).

Pierwsze produkty wykorzystujące pamięć MRAM są spodziewane w 2019 roku.

Źródło: [H]ardOCP

» skomentuj na forum «